来源：半导体产业纵横
按单位面积计算，存储芯片的制造价值或已超过台积电先进制程生产计算芯片的硅片价格。
受AI领域需求拉动，内存价格创下历史新高，且短期内不会回落。Kurnal在社交平台发布的观察分析指出：按单位面积计算，存储芯片的制造价值，甚至可以超过台积电N2、N3先进制程生产计算芯片的硅片价格。虽然这一对比具备参考意义，但存在重要的前提限制。
根据媒体爆料信息，Kurnal Insights的Kurnal测算：台积电N3工艺的300毫米晶圆加工成本为20000美元，用晶圆总价格除以晶圆面积，折合每平方毫米约0.283美元。对于台积电N2工艺，该分析师预估晶圆加工价格大幅上涨至30000美元，折合约0.424美元/平方毫米。 以上测算均基于非公开行业信息，没有剔除晶圆边缘无效区域、切割损耗、测试结构、芯片缺陷以及良率因素，因此只能视作晶圆名义面积价格，并非可用硅片的实际成交价格。
DRAM的计算逻辑则完全不同。Kurnal先假设DRAM价格为1.50美元/吉比特，再乘以不同代际DRAM的位密度进行换算。
•1y代DRAM密度0.219吉比特/平方毫米，折算价值0.329美元/平方毫米；
•1z代DRAM密度0.273吉比特/平方毫米，折算价值0.410美元/平方毫米；
•1b代DRAM密度0.436吉比特/平方毫米，折算价值0.654美元/平方毫米，显著高于N2晶圆测算的名义价格0.424美元/平方毫米。
这里需要做一个关键区分：N2、N3的数值代表台积电对外收取的晶圆代工加工费用；而DRAM侧的数值，代表每平方毫米硅片上内存颗粒的潜在销售价值，体现的是在假设内存价格下，DRAM厂商从单位裸片面积理论上能够获得的营收。
值得注意的是，Kurnal Insights采用的1.50美元/吉比特的假设价格，和当前DDR5 eTT内存现货价格几乎吻合。集邦咨询数据显示，9月21日，16Gb DDR5 eTT芯片的当期平均价格为24.80美元，折合1.55美元/吉比特。按照该价格，密度0.436吉比特/平方毫米的1b代DRAM，单位面积价值约0.676美元/平方毫米，仅比Kurnal估算的0.654美元/平方毫米高出3%。
毋庸置疑，生产DDR5内存的成本，远低于使用台积电N3工艺制造逻辑芯片。但当下DRAM供给紧张，内存厂商从硅片上获得的收益，已经远高于历史水平。
但这项对比不能简单直接划等号，存在几项重要限制条件：
1.测算均未计入封装成本，逻辑芯片往往需要成本更高的封装工艺；
2.台积电属于代工模式，晶圆实际加工价格受采购规模、客户身份以及其他商务条款影响，浮动空间很大。
因此，把台积电预估晶圆代工价格和DRAM现货价格拿来对比，并不是完全对等的比较。就连集邦咨询近日的内存现货报告也提到，DDR5现货采购需求依旧有限，成交属于零星状态。现货价格并不代表美光、三星、SK海力士绝大部分DRAM出货的真实成交价。
如果要做具备实际经济意义的对比，DRAM的长协合约价格才是更合适的参考基准。但长协合约价格属于非公开信息；虽然合约价明显高于历史内存价格，但大概率会低于现货市场价格。基于现有信息，我们还无法下定论：DRAM厂商从自家晶圆获得的收益，已经超过台积电代工逻辑晶圆的收入。
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