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【导语】4月24日，台积电在2025年北美技术论坛上震撼发布其下一代先进逻辑制程技术A14（1.4nm制程），并透露该技术将于2028年投产，目前开发进展顺利且良率超预期。与N2制程相比，A14在性能与能效上均有显著提升，旨在推动AI转型并强化智能手机功能。同时，台积电还发布了多项新技术，涵盖高性能计算、智能手机、汽车和物联网等领域，展现出其在半导体技术的全面领先地位。

4月24日，台积电在其举办的2025年北美技术论坛上曝光了下一世代先进逻辑制程技术A14（即1.4nm制程技术）。台积电表示，A14制程技术计划于2028年开始生产，截至目前开发进展顺利，良率表现优于预期进度。

据悉，与2025年稍晚时间进入量产的N2制程相比，A14将在相同功耗下，提升15%的速度；或在相同速度下，降低30%的功率，同时逻辑密度增加超过20%。台积电将其TSMC NanoFlex标准单元架构发展为NanoFlex Pro，以实现更好的效能、能源效率和设计灵活性。

台积电表示，A14制程技术体现了公司在N2制程上的重大进展，此技术旨在通过提供更快的运算和更好的能源效率来推动人工智能（AI）转型，并有望通过增强终端AI功能（on-board AI capabilities）来强化智能手机功能。

台积电董事长魏哲家表示：“我们的客户不断展望未来，而台积电的先进技术和制造为他们提供了可靠的创新蓝图。台积电的先进逻辑技术，例如A14，是连接实体和数字世界的全方位解决方案组合的一部分，促进客户创新，推动AI未来。”

值得关注的是，此次除了A14，台积电还发布了新的逻辑制程、特殊制程、先进封装和3D芯片堆栈技术，应用于高性能计算（HPC）、智能手机、汽车和物联网（IoT）等领域。

具体来看，在高性能计算领域，台积电持续推进晶圆上芯片基板(CoWoS) 技术，计划于2027年实现9.5 reticle size CoWoS 的量产，将12个或更多HBM 堆栈与台积电领先的逻辑技术集成在一个封装中。在智能手机领域，台积电通过其最新一代的射频技术N4C RF支持边缘设备满足AI需求。N4C RF技术计划在2026年第一季进入试产。在汽车领域，台积公司通过N3A制程满足(zú)客(kè)户(hù)需(xū)求(qiú)，目(mù)前(qián)N3A正(zhèng)处(chù)于(yú)AEC-Q100第(dì)一(yī)级(jí)验(yàn)证(zhèng)的(de)最(zuì)后(hòu)阶(jiē)段(duàn)，并(bìng)不(bù)断(duàn)改(gǎi)良(liáng)。在(zài)物(wù)联(lián)网(wǎng)领(lǐng)域，台(tái)积(jī)电(diàn)表(biǎo)示(shì)，公(gōng)司(sī)先(xiān)前(qián)公(gōng)布(bù)的(de)超(chāo)低(dī)功(gōng)耗(hào)N6e制(zhì)程(chéng)进(jìn)入(rù)生(shēng)产(chǎn)，其(qí)将(jiāng)继(jì)续(xù)推(tuī)动(dòng)N4e拓(tà)展(zhǎn)未(wèi)来(lái)边(biān)缘(yuán)AI的(de)能(néng)源(yuán)效(xiào)率(lǜ)极(jí)限(xiàn)。